Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной
БиблиографияПолупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной [Электронный ресурс] / Чеботарев С.Н., Калинчук В.В., Лунин Л.С. - М. : ФИЗМАТЛИТ, 2016. Режим доступа: http://proto.rosmedlib.ru/book/ISBN9785922116947.html
АвторыЧеботарев С.Н., Калинчук В.В., Лунин Л.С.
ИздательствоФизматлит
Год издания2016
ПрототипЭлектронное издание на основе: Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2016. - 192 с. - ISBN 978-5-9221-1694-7.
АннотацияРассмотрены физические свойства и закономерности формирования полупроводниковых наногетероструктур с промежуточной подзоной. Представлены механический и термодинамический подходы к описанию самоорганизованного роста в процессе релаксации механически напряженных гетеросистем с различающимися параметрами кристаллических решеток. Описаны методы получения и аналитические методики исследования свойств полупроводниковых наноструктур. Основное внимание уделено новому перспективному ростовому методу - ионно-лучевой кристаллизации. Проведены исследования массопереноса и закономерностей формирования гетероструктур с квантовыми точками, полученных ионно-лучевой кристаллизацией. Развит математический аппарат функций Грина и получены данные о распределении механических напряжений в нанослоях, содержащих включения кубической, гексагональной и пирамидальной формд ля гетеросистемInAs/GaAs(111), InN/AlN(0001), InAs/GaAs(001). Проведено моделирование, выращены и измерены характеристики прототипов фотоэлектрических преобразователей с промежуточной энергетической подзоной для прямозонных и непрямозонных наногетеросистем. Книга предназначена научными инженерно-техническим работникам, специализирующимся в области физики и технологии полупроводниковой оптоэлектроники.
Загружено 2018-05-13 02:40:26