Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет
БиблиографияФизические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет [Электронный ресурс]: Учеб.- метод. пособие / Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Мурашев В.Н. - М. : МИСиС, 2001. Режим доступа: http://proto.rosmedlib.ru/book/Misis_155.html
АвторыЛадыгин Е.А., Лагов П.Б., Мурашев В.Н.
ИздательствоМИСиС
Год издания2001
ПрототипЭлектронное издание на основе: Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет: Учеб.- метод. пособие. - М.: МИСиС, 2001. - 47 с..
АннотацияВ пособии кратко изложены современные теоретические представления об образовании первичных дефектов в объеме полупроводника, приведены формулы для расчета основных электрофизических параметров монокристаллических полупроводников при воздействии быстрых частиц и гамма-квантов в широком диапазоне энергий. Цель пособия заключается в приобретении практических навыков выполнения расчета полного числа неравновесных смещений атомов в единице объема полупроводникового монокристалла при облучении различными видами частиц и гамма-квантов надпороговых энергий. Приведены точные значения фундаментальных физических констант, необходимых для расчетов, а также наглядные графические зависимости рассчитываемых параметров от условий облучения для кремния, которые полезно использовать для самопроверки результатов расчета. <br>Пособие предназначено для студентов специальности 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника", выполняющих курсовые работы по дисциплине "Основы лучевой технологии микроэлектроники", а также пособие будет полезно студентам, аспирантам и специалистам, выполняющим дипломные и научно-исследовательские работы в области радиационной физики, материаловедения, технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Загружено 2019-10-08 03:15:58