только для медицинских специалистов

Раздел 5 / 9

Страница 1 / 121

ГЛАВА 3. ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ И ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ

/

Режим прокрутки

На первую страницу

На предыдущую главу

На предыдущую страницу

На следующую страницу

На следующую главу

На последнюю страницу

/

Для продолжения работы требуется вход / регистрация

На первую страницу

На предыдущую главу

На предыдущую страницу

На следующую страницу

На следующую главу

На последнюю страницу

Скачать приложение

Наноэлектроника: теория и практика

Оглавление

ОБ АВТОРАХ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ +

ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР +

ГЛАВА 3. ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ И ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ -

3.1. Транспорт носителей заряда вдоль потенциальных барьеров

3.1.1. Интерференция электронных волн

3.1.2. Вольтамперные характеристики низкоразмерных структур

3.1.3. Квантовый эффект Холла

3.1.4. Электронные приборы на основе интерференционных эффектов и баллистического транспорта носителей заряда

3.2. Туннелирование носителей заряда через потенциальные барьеры

3.2.1. Одноэлектронное туннелирование

3.2.2. Приборы на основе одноэлектронного туннелирования

3.2.3. Резонансное туннелирование

3.2.4. Приборы на основе резонансного туннелирования

3.3. Спин-зависимый транспорт носителей заряда

3.3.1. Гигантское магнитосопротивление

3.3.2. Спин-контролируемое туннелирование

3.3.3. Управление спинами носителей заряда в полупроводниках

3.3.4. Эффект Кондо

3.3.5. Спинтронные приборы

ПРAКТИКУМ +

ПРИЛОЖЕНИЯ +

РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА

ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ