Справка
x
только для медицинских специалистов
Консультант врача
Электронная медицинская библиотека
Вход / регистрация
Каталог
В книге
Показать все
Расширенный поиск
К результату поиска
Меню
Библиотека
Все книги
Руководства
Рекомендации
Монографии
Основные учебники
Атласы
Пациентам
Фармакология
Образование
Модули
Расписание вебинаров
Прошедшие вебинары
Мероприятия
Мероприятия
Лекарства
Справочник
Раздел
5
/
9
Страница
87
/
121
ГЛАВА 3. ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ И ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ
/
/
Внимание! Часть функций, например, копирование текста к себе в конспект, озвучивание и т.д. могут быть доступны только в режиме постраничного просмотра.
Для продолжения работы требуется
вход / регистрация
Скачать приложение
Наноэлектроника: теория и практика
Оглавление
ОБ АВТОРАХ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
+
ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР
+
ГЛАВА 3. ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ И ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ
-
3.1. Транспорт носителей заряда вдоль потенциальных барьеров
3.1.1. Интерференция электронных волн
3.1.2. Вольтамперные характеристики низкоразмерных структур
3.1.3. Квантовый эффект Холла
3.1.4. Электронные приборы на основе интерференционных эффектов и баллистического транспорта носителей заряда
3.2. Туннелирование носителей заряда через потенциальные барьеры
3.2.1. Одноэлектронное туннелирование
3.2.2. Приборы на основе одноэлектронного туннелирования
3.2.3. Резонансное туннелирование
3.2.4. Приборы на основе резонансного туннелирования
3.3. Спин-зависимый транспорт носителей заряда
3.3.1. Гигантское магнитосопротивление
3.3.2. Спин-контролируемое туннелирование
3.3.3. Управление спинами носителей заряда в полупроводниках
3.3.4. Эффект Кондо
3.3.5. Спинтронные приборы
ПРAКТИКУМ
+
ПРИЛОЖЕНИЯ
+
РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ
Наноэлектроника: теория и практика
Оборот титула
Оглавление
ОБ АВТОРАХ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
+
ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР
+
ГЛАВА 3. ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ И ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ
-
3.1. Транспорт носителей заряда вдоль потенциальных барьеров
3.1.1. Интерференция электронных волн
3.1.2. Вольтамперные характеристики низкоразмерных структур
3.1.3. Квантовый эффект Холла
3.1.4. Электронные приборы на основе интерференционных эффектов и баллистического транспорта носителей заряда
3.2. Туннелирование носителей заряда через потенциальные барьеры
3.2.1. Одноэлектронное туннелирование
3.2.2. Приборы на основе одноэлектронного туннелирования
3.2.3. Резонансное туннелирование
3.2.4. Приборы на основе резонансного туннелирования
3.3. Спин-зависимый транспорт носителей заряда
3.3.1. Гигантское магнитосопротивление
3.3.2. Спин-контролируемое туннелирование
3.3.3. Управление спинами носителей заряда в полупроводниках
3.3.4. Эффект Кондо
3.3.5. Спинтронные приборы
ПРAКТИКУМ
+
ПРИЛОЖЕНИЯ
+
РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ
Показать все
Все издания
Закрыть меню