Справка
x
только для медицинских специалистов
Консультант врача
Электронная медицинская библиотека
Вход / регистрация
Каталог
В книге
Показать все
Расширенный поиск
К результату поиска
Меню
Библиотека
Все книги
Руководства
Рекомендации
Монографии
Основные учебники
Атласы
Пациентам
Фармакология
Образование
Модули
Расписание вебинаров
Прошедшие вебинары
Мероприятия
Мероприятия
Лекарства
Справочник
Раздел
8
/
17
Страница
1
/
46
Глава 6. Структура тонких пленок и способы управления ею
/
/
Для продолжения работы требуется
вход / регистрация
Скачать приложение
Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии
Оглавление
Предисловие
Введение
Глава 1. Пробои на катоде магнетрона
+
Глава 2. Процесс реактивного магнетронного распыления со среднечастотным источником питания магнетрона
+
Глава 3. Процессы в плазме у поверхности растущей пленки
+
Глава 4. Особенности реактивного магнетронного распыления
+
Глава 5. Получение пленок тройных и более сложных химических соединений
+
Глава 6. Структура тонких пленок и способы управления ею
-
6.1. Развитие микроструктуры и появление предпочтительной ориентации в растущей пленке
6.2. Модель структурных зон
6.3. Двухосно ориентированные тонкие пленки и механизмы формирования их структуры на наклоненной подложке
6.4. Экспериментальное подтверждение модели структурных зон
6.5. Влияние параметров нанесения на структуру тонких пленок и степень их биаксиальной ориентации
Резюме
Литература
Глава 7. Способы равномерного нанесения пленки из протяженного магнетронного источника
+
Глава 8. Основы моделирования реактивного разряда
+
Глава 9. Вакуумные напылительные установки фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"
+
Глава 10. ТСР источники плазмы
Глава 11. Вакуумные установки для ионного и плазмохимического травления фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"
+
Глава 12. Применения установок плазмохимического травления с устройствами ТСР разряда
+
Глава 13. Установка Caroline PECVD 15 для плазмостимулированного химического осаждения из паров (PECVD) с применением ТСР источника
+
Глава 14. Рекомендации по комплектации вакуумных участков для производства различных изделий электронной техники вакуумно-технологическим оборудованием фирмы "ЭСТО-Вакуум"
+
Приложение Общепринятые в иностранной литературе сокращения
Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии
Оборот титула
Оглавление
Предисловие
Введение
Глава 1. Пробои на катоде магнетрона
+
Глава 2. Процесс реактивного магнетронного распыления со среднечастотным источником питания магнетрона
+
Глава 3. Процессы в плазме у поверхности растущей пленки
+
Глава 4. Особенности реактивного магнетронного распыления
+
Глава 5. Получение пленок тройных и более сложных химических соединений
+
Глава 6. Структура тонких пленок и способы управления ею
-
6.1. Развитие микроструктуры и появление предпочтительной ориентации в растущей пленке
6.2. Модель структурных зон
6.3. Двухосно ориентированные тонкие пленки и механизмы формирования их структуры на наклоненной подложке
6.4. Экспериментальное подтверждение модели структурных зон
6.5. Влияние параметров нанесения на структуру тонких пленок и степень их биаксиальной ориентации
Резюме
Литература
Глава 7. Способы равномерного нанесения пленки из протяженного магнетронного источника
+
Глава 8. Основы моделирования реактивного разряда
+
Глава 9. Вакуумные напылительные установки фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"
+
Глава 10. ТСР источники плазмы
Глава 11. Вакуумные установки для ионного и плазмохимического травления фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"
+
Глава 12. Применения установок плазмохимического травления с устройствами ТСР разряда
+
Глава 13. Установка Caroline PECVD 15 для плазмостимулированного химического осаждения из паров (PECVD) с применением ТСР источника
+
Глава 14. Рекомендации по комплектации вакуумных участков для производства различных изделий электронной техники вакуумно-технологическим оборудованием фирмы "ЭСТО-Вакуум"
+
Приложение Общепринятые в иностранной литературе сокращения
Показать все
Все издания
Закрыть меню