Справка
x
только для медицинских специалистов
Консультант врача
Электронная медицинская библиотека
Вход / регистрация
Каталог
В книге
Показать все
Расширенный поиск
К результату поиска
Меню
Библиотека
Все книги
Руководства
Рекомендации
Монографии
Основные учебники
Атласы
Пациентам
Фармакология
Образование
Модули
Расписание вебинаров
Прошедшие вебинары
Мероприятия
Мероприятия
Лекарства
Справочник
Раздел
9
/
17
Страница
1
/
22
Глава 7. Способы равномерного нанесения пленки из протяженного магнетронного источника
/
/
Для продолжения работы требуется
вход / регистрация
Скачать приложение
Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии
Оглавление
Предисловие
Введение
Глава 1. Пробои на катоде магнетрона
+
Глава 2. Процесс реактивного магнетронного распыления со среднечастотным источником питания магнетрона
+
Глава 3. Процессы в плазме у поверхности растущей пленки
+
Глава 4. Особенности реактивного магнетронного распыления
+
Глава 5. Получение пленок тройных и более сложных химических соединений
+
Глава 6. Структура тонких пленок и способы управления ею
+
Глава 7. Способы равномерного нанесения пленки из протяженного магнетронного источника
-
7.1. Факторы, влияющие на неоднородность толщины покрытия при нереактивном процессе
7.2. Дополнительные причины неравномерности распыления при реактивном распылении
7.3. Выравнивание неоднородностей нанесенной пленки локальной регулируемой подачей реактивного газа или аргона
Литература
Глава 8. Основы моделирования реактивного разряда
+
Глава 9. Вакуумные напылительные установки фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"
+
Глава 10. ТСР источники плазмы
Глава 11. Вакуумные установки для ионного и плазмохимического травления фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"
+
Глава 12. Применения установок плазмохимического травления с устройствами ТСР разряда
+
Глава 13. Установка Caroline PECVD 15 для плазмостимулированного химического осаждения из паров (PECVD) с применением ТСР источника
+
Глава 14. Рекомендации по комплектации вакуумных участков для производства различных изделий электронной техники вакуумно-технологическим оборудованием фирмы "ЭСТО-Вакуум"
+
Приложение Общепринятые в иностранной литературе сокращения
Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии
Оборот титула
Оглавление
Предисловие
Введение
Глава 1. Пробои на катоде магнетрона
+
Глава 2. Процесс реактивного магнетронного распыления со среднечастотным источником питания магнетрона
+
Глава 3. Процессы в плазме у поверхности растущей пленки
+
Глава 4. Особенности реактивного магнетронного распыления
+
Глава 5. Получение пленок тройных и более сложных химических соединений
+
Глава 6. Структура тонких пленок и способы управления ею
+
Глава 7. Способы равномерного нанесения пленки из протяженного магнетронного источника
-
7.1. Факторы, влияющие на неоднородность толщины покрытия при нереактивном процессе
7.2. Дополнительные причины неравномерности распыления при реактивном распылении
7.3. Выравнивание неоднородностей нанесенной пленки локальной регулируемой подачей реактивного газа или аргона
Литература
Глава 8. Основы моделирования реактивного разряда
+
Глава 9. Вакуумные напылительные установки фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"
+
Глава 10. ТСР источники плазмы
Глава 11. Вакуумные установки для ионного и плазмохимического травления фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"
+
Глава 12. Применения установок плазмохимического травления с устройствами ТСР разряда
+
Глава 13. Установка Caroline PECVD 15 для плазмостимулированного химического осаждения из паров (PECVD) с применением ТСР источника
+
Глава 14. Рекомендации по комплектации вакуумных участков для производства различных изделий электронной техники вакуумно-технологическим оборудованием фирмы "ЭСТО-Вакуум"
+
Приложение Общепринятые в иностранной литературе сокращения
Показать все
Все издания
Закрыть меню