только для медицинских специалистов

Раздел 17 / 17

Страница 1 / 22

Приложение Общепринятые в иностранной литературе сокращения

/

Режим прокрутки

На первую страницу

На предыдущую главу

На предыдущую страницу

На следующую страницу

На последнюю страницу

/

Для продолжения работы требуется вход / регистрация

На первую страницу

На предыдущую главу

На предыдущую страницу

На следующую страницу

На последнюю страницу

Скачать приложение

Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии

Оглавление

Предисловие

Введение

Глава 1. Пробои на катоде магнетрона +

Глава 2. Процесс реактивного магнетронного распыления со среднечастотным источником питания магнетрона +

Глава 3. Процессы в плазме у поверхности растущей пленки +

Глава 4. Особенности реактивного магнетронного распыления +

Глава 5. Получение пленок тройных и более сложных химических соединений +

Глава 6. Структура тонких пленок и способы управления ею +

Глава 7. Способы равномерного нанесения пленки из протяженного магнетронного источника +

Глава 8. Основы моделирования реактивного разряда +

Глава 9. Вакуумные напылительные установки фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"+

Глава 10. ТСР источники плазмы

Глава 11. Вакуумные установки для ионного и плазмохимического травления фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"+

Глава 12. Применения установок плазмохимического травления с устройствами ТСР разряда +

Глава 13. Установка Caroline PECVD 15 для плазмостимулированного химического осаждения из паров (PECVD) с применением ТСР источника +

Глава 14. Рекомендации по комплектации вакуумных участков для производства различных изделий электронной техники вакуумно-технологическим оборудованием фирмы "ЭСТО-Вакуум"+

Приложение Общепринятые в иностранной литературе сокращения